vol.249 October 2021
将技术（T型电路）与构想（整装化）相融合，实现漏电流1pA以下
G3VM-□MT 漏电流较小化＋长寿命＋省空间化、省工时化
漏电流较小化
实现了以往光敏半导体MOS FET难以达到的漏电流较小化（1pA以下），有助于提高设备的测量精度。
半导体继电器特有的长寿命
采用无接点磨损的长寿命半导体继电器（无接点输出），有助于大幅减少维护工时和部件成本。
通过整装化实现省面积化和省工时化
将输出电路的接线内置于同个封装内，与在电路板面上构建T型电路相比，省面积化有助于实现装置的小型化，1/3的封装工时有助于实现省工时化。
＊1. 普通信号用继电器的机械耐久性次数参考值为5,000万次。
＊2. 普通干簧继电器的耐久性次数参考值为1亿次。此外，G3VM-□MT（T模组）为半导体继电器，寿命与开闭次数无关。记述的寿命为机械耐久性。
*截至2021年9月的内容。
请注意，规格如有更改，恕不另行通知。
